シリコン表面に吸着した水素原子の光刺激イオン脱離メカニズムへの数的アプローチ

漁剛志

permalink : https://sitereports.nabunken.go.jp/ja/article/55391

DOI : http://doi.org/10.24484/sitereports.120683-55391

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総覧登録日 : 2022-04-22

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シリコン表面に吸着した水素原子の光刺激イオン脱離メカニズムへの数的アプローチ

この論文は下の刊行物の 1 - 6 ページに掲載されています。

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