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シリコン表面に吸着した水素原子の光刺激イオン脱離メカニズムへの数的アプローチ

漁剛志

permalink : https://sitereports.nabunken.go.jp/ja/article/55391

DOI : http://doi.org/10.24484/sitereports.120683-55391

NAID :

都道府県 :

時代

文化財種別

史跡・遺跡種別

遺物（材質分類）

学問種別 文化財科学

テーマ 調査技術

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総覧登録日 : 2022-04-22

wikipedia 出典テンプレート : {{Citation ... 開く

wikipedia 出典テンプレート : {{Citation|first=剛志|last=漁|contribution=シリコン表面に吸着した水素原子の光刺激イオン脱離メカニズムへの数的アプローチ|title=山口県立山口博物館研究報告|date=2008-03-31|url=https://sitereports.nabunken.go.jp/120683|ncid=AN00243633|volume=34}} 閉じる

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シリコン表面水素原子光刺激イオン脱離メカニズム数的アプローチ

シリコン表面に吸着した水素原子の光刺激イオン脱離メカニズムへの数的アプローチ

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シリコン表面に吸着した水素原子の光刺激イオン脱離メカニズムへの数的アプローチ

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