シリコン表面に吸着した水素原子の光刺激イオン脱離メカニズムへの数的アプローチ

漁剛志

permalink : https://sitereports.nabunken.go.jp/ja/article/55391

DOI : http://doi.org/10.24484/sitereports.120683-55391

漁剛志 2008「シリコン表面に吸着した水素原子の光刺激イオン脱離メカニズムへの数的アプローチ」『山口県立山口博物館研究報告』 https://sitereports.nabunken.go.jp/ja/article/55391

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文化財種別

史跡・遺跡種別

遺物（材質分類）

学問種別 文化財科学

テーマ 調査技術

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総覧登録日 : 2022-04-22

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シリコン表面水素原子光刺激イオン脱離メカニズム数的アプローチ

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